• 环路滤波器电阻值实现完整的 PLL 频率合成器所需的外部元件电路
    发布日期:2020-09-15 11:54   来源:未知   阅读:

  场对更高带宽和更高数据速率的需求日益增加,系统频率和调制速率要求不断提高。随着应用进入消费市场,低功耗变得至关重要。在满足这些要求的同时,还需要保证:不会牺牲或功能。为了满足这些要求,除了改善进信噪比(SNR)、误码率(BER)和用户熟悉的优质服务外,还必须改善本地

  ADF5610 是一款集成式锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO),充分体现了ADI致力于解决这些问题最终取得的成果。

  ADF5610 的 VCO 架构可实现出色的宽带频率合成器性能,同时保持行业领先的相位噪声性能,在 10 GHz 、100 kHz 偏置时,标称开环相位噪声为–114 dBc/Hz。在仅使用一个无源环路滤波器的情况下,内部状态机就可以使频率建立时间低于 40 μs;除非需要更快的建立时间,否则无需使用额外的电路或查找表(LUT)。

  虽然 ADF5610 内部的锁相环(PLL)具有中等品质因数(FOM) –229 dBc/Hz(高电流模式下为–232 dBc/Hz),但考虑到 1/f 噪声(–129 dBc/Hz)和出色的 VCO 相位噪声特性,则可以实现低于 38 fs(1 kHz 至 100 MHz 集成限值)的 rms 抖动。因此,ADF5610 非常适合要求严苛的转换器时钟应用。环路滤波器电阻值应保持最小,以在高频率(100 MHz)范围内实现较低的热噪声。为了达到这个性能水平,必须使用超低噪声基准电压源。

  除了很宽的频率覆盖范围、行业领先的相位噪声和极快的锁定时间之外,ADF5610 还具有其他特性,因此非常适合无线和仪器仪表应用。在这些应用中,ADF5610 一般作为本地振荡器使用。

  24 位小数分辨率相当不错,与 ADF5610 的精确频率模式功能配合使用时,有可能实现零(0 Hz)误差频率生成。将 ADF5610 用作本地振荡器时,因为标称输出功率为 5 dBm,所以可以直接通过 RFOUT

  端口驱动有源混频器,这样无需额外的放大电路,可以节省宝贵的电路板空间。采用单端方式使用时,差分分频器(PDIVOUT/NDIVOUT)的标称输出功率为 2 dBm,但是,在窄带应用中,可以通过低损耗巴伦或混合耦合器将差分进行组合,以实现 1~2dB 输出功率的增加。

  如今低功耗非常重要,ADF5610 在低电流模式、禁用输出分频器时,只消耗低于 700 mW 的功率,即使在最坏情况(高性能模式,输出分频器设为 128 分频)下,其功耗稍高于 1 W。即使在低电流模式下,ADF5610 的相位噪声性能在同类产品中也处于领先水平,仅增加 2 dBc/Hz。

  ADF5610 还具有出色的杂散性能,PFD 杂散低至 -105 dBc,带内未滤波的整数边界杂散标称值为 -45 dBc。

  ADF5610 PLL/VCO 采用 7 mm × 7 mm、48 引脚基板栅格阵列(LGA)封装。工作时只需极少的外部去耦,因此可以使用小型解决方案实现出色性能。为实现最佳性能,建议使用优质低压降(LDO)稳压器,例如 ADM7150, LT3045/LT3042 或 HMC1060。VCO 需要 5 V 电源,其余的电路则使用 3.3 V 电轨供电。ADF5610 可以使用 ADI simPLL™进行仿真,以帮助用户设计实现完整的 PLL 频率合成器所需的适当外部元件电路。

  ADF5610 具备行业领先的频率覆盖范围、出色的相位噪声性能、高输出功率、低功耗和小尺寸,因此能够满足新通信和仪器仪表系统的严苛要求。

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  晶体管该器件设计用于集电极电流在1.0 mA至30 mA范围的250 mHz通用射频放大器和混频器应用。采用工艺75设计。 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图

  晶体管该器件适合集电极电流为100 mA至10 mA的300 MHz共发射极低噪声放大器和混频器应用,以及具有驱动FET混频器的高输出电平的低频率漂移基极VHF振荡器应用。采用工艺47设计。 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图

  100EP33是一个4分频器的集成分频器。差分时钟输入。 V BB 引脚是内部生成的电源,仅适用于此器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V BB 作为开关参考电压。 V BB 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01 uF电容去耦V BB 和V CC ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V BB 应保持打开状态。 复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP33。 100系列包含温度补偿。 特性 320ps传播延迟 最高频率

  4 GHz典型 PECL模式工作范围:V CC = 3.0 V至5.5 V,V EE = 0 V NECL模式工作范围:V CC = 0 V,V EE = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态 输入安全夹 Q输出将输入打开或V EE V BB 输出 无铅封装可用 应用 锁相循环 电路图、引脚图和封装图...

  / 100EL32是一个由2分频器组成的分频器。差分时钟输入和V BB 允许器件的差分,单端或AC耦合接口。如果使用,应使用0.01 F电容将V BB 输出旁路至地。另请注意,V BB 仅用作EL32上的输入偏置,V BB 输出具有有限的电流吸收和源功能。 复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EL32。 100系列包含温度补偿。 特性 510ps传播延迟 3.0GHz切换频率 ESD保护:

  1 KV HBM,

  100 V MM PECL模式运行范围:V CC = 4.2 V至5.7 V,V EE = 0 V NECL模式工作范围:V CC = 0 V,V EE = -4.2 V至-5.7 V CLK(s)和R上的内部输入下拉电阻 符合或超过JEDEC规范EIA / JESD78 IC闩锁测试 湿度敏感度等级1 有关其他信息,请参阅应用说明AND8003 / D Flammabili评级:UL-94代码V-0 @ 1/8“,氧指数28至34 晶体管Count = 82个设备 应用 锁相循环 电路图、引脚图和封装图...

  / 100EL33是一个集成的÷4分频器。差分时钟输入和V BB 允许器件的差分,单端或AC耦合接口。如果使用,应使用0.015F电容将V BB 输出旁路至地。另请注意,V BB 仅用于EL33上的输入偏置,V BB 输出具有有限的电流吸收和源功能。 复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EL33。 100系列包含温度补偿。 特性 650ps传播延迟 4.0GHz切换频率 ESD保护:

  1 KV HBM,

  100 V MM PECL模式运行范围:V CC = 4.2 V至5.7 V,V EE = 0 V NECL模式工作范围:V CC = 0 V,V EE = -4.2 V至-5.7 V CLK(s)和R上的内部输入下拉电阻 符合或超过JEDEC规范EIA / JESD78 IC闩锁测试 湿度敏感度等级1 有关其他信息,请参阅应用说明AND8003 / D Flammabili评级:UL-94代码V-0 @ 1/8“,氧指数28至34 晶体管计数= 95个设备 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  HMC1056 GaAs MMIC I/Q混频器,8 - 12 GHz

  信息优势和特点 宽IF带宽: DC - 4 GHz 镜像抑制: 25 dBc LO至RF隔离: 40 dB 高输入IP3: 18 dBm 20引脚4x4 mm SMT封装16 mm² 产品详情HMC1056LP4BE是一款紧凑型I/Q MMIC混频器,采用“无铅”SMT封装,可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件,均采用GaAs Schottky二极管工艺制造。 低频正交混合器件用于产生100MHz LSB IF输出。 该产品为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。 HMC1056LP4BE无需线焊,可以使用表贴制造技术。 应用 点对点和点对多点无线电 军用雷达、EW和ELINT 卫星通信 传感器电路图、引脚图和封装图...

  信息 MC10 / 100EP33是一个由4分频器组成的分频器。差分时钟输入。 V 引脚是内部生成的电源,仅适用于此器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01 uF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP33。 100系列包含温度补偿。 320ps传播延迟 最大频率

  4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V,V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V且V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态 输入上的安全钳 Q输出打开或V V 输出 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  NBSG53A 具有复位和OLS的2.5 V / 3.3 V可选差分时钟/数据D触发器/时钟分频器

  A是一个多功能差分D触发器(DFF)或固定2分频(DIV / 2)时钟发生器。这是GigaComm高性能硅锗产品系列的一部分。提供可绑定的控制引脚以在两个功能之间进行选择。该器件采用扁平4x4 mm 16引脚倒装芯片BGA(FCBGA)封装。 NBSG53A是一款具有数据,时钟,OLS,复位和选择输入的器件。差分输入采用内部50欧姆端接电阻,可接受NECL(负ECL),PECL(正ECL),CMOS,CML或LVDS。 OLS输入用于在五个不连续的步骤中编程0到800 mV之间的峰峰值输出幅度。 RESET和SELECT输入是单端的,可以使用LVECL或LVCMOS输入电平驱动。 数据在时钟的上升沿传输到输出。 NBSG53A的差分时钟输入允许器件也用作负边沿触发器件。 特性 最大输入时钟频率(DFF)

  8 GHz典型值 最大输入时钟频率(DIV / 2)

  10 GHz典型 210 ps典型传播延迟(OLS = FLOAT) 45 ps典型上升和下降时间(OLS = FLOAT) 可选输出电平(0 V,200 mV,400 mV,600 mV或800 mV峰峰值输出) 50Ω内部输入端接电阻 DIV / 2模式(选择低电平有效)...

  NB7V32M 1.8 V / 2.5 V 10 GHz÷·2时钟分频器 带CML输出

  M是具有异步复位功能的差分2分频时钟分频器。差分时钟输入包含内部50欧姆端接电阻,可接受LVPECL,CML和LVDS逻辑电平。 NB7V32M产生输入时钟的2分频输出副本,工作频率高达10GHz,抖动最小。复位引脚在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态; Reset允许在系统中同步多个NB7V32M。 16mA差分CML输出提供匹配的内部50欧姆端接,当外部接收器以50欧姆端接至VCC时,可确保400mV输出摆幅。 NB7V32M是NB7L32M 2.5V / 3.3V的1.8V / 2.5V版本,采用扁平3mm x 3mm 16引脚QFN封装。 特性 最大输入时钟频率

  7M是一款高速8位双模可编程分频器/预分频器,具有16 mA CML输出,能够在大于3.5 GHz的输入频率下进行切换。 CML输出结构包含到VCC的内部50欧姆源端接电阻。该器件可为VCC产生400 mV输出幅度,50欧姆接收电阻。这种I / O结构可以在50欧姆系统中轻松实现NB7N017M。 差分输入包含50欧姆的VT焊盘终端电阻,所有差分输入接受RSECL,ECL,LVDS,LVCMOS,LVTTL和CML。内部,NB7N017M使用大于3.5 GHz的8位可编程降压计数器。选择引脚SEL用于在两个字Pa(0:7)和Pb(0:7)之间进行选择,它们分别存储在REGa和REGb中。两个并行加载引脚PLa和PLb分别用于加载电平触发编程寄存器REGa和REGb。可提供差分时钟使能CE引脚。 NB7N017M提供差分输出TC。当计数器达到全零状态时,终端计数输出TC在一个时钟周期内变为高电平。为降低输出相位噪声,TC通过上升沿触发锁存器重新定时。 特性 最大输入时钟频率

  3.5 GHz典型值 50欧姆内部输入和输出端接电阻器 所有单端控制引脚兼容CMOS和PECL / NECL 使用REGa和REGb中存储的两个单端字,Pa和...

  NB7V33M 时钟分频器 ÷4,10 GHz 1.8 V / 2.5 V 带CML输出

  M是一个带有异步复位的差分4分频时钟分频器。差分时钟输入包含内部50欧姆端接电阻,可接受LVPECL,CML和LVDS逻辑电平。 NB7V33M产生一个输入时钟的div 4输出副本,工作频率高达10GHz,抖动最小。复位引脚在上升沿置位。通电后,内部触发器将达到随机状态。 Reset允许在系统中同步多个NB7V33M。 16mA差分CML输出提供匹配的内部50欧姆端接,当外部接收器以50欧姆端接到VCC时,提供400mV输出摆幅。 NB7V33M是NB7V32M(div 2)的div 4版本,采用扁平3mm x 3mm 16引脚QFN封装。 NB7V33M是GigaComm系列高性能时钟产品的成员。 特性 最大输入时钟频率

  10 GHz,典型值 260 ps典型传播延迟 35 ps典型上升和下降时间 差分CML输出,400 mV peaktopeak,典型 内部50欧姆输入端接电阻器 随机时钟抖动...

  信息 MC10EL / 100EL33是一个集成的÷4分频器。差分时钟输入和V 允许器件的差分,单端或AC耦合接口。如果使用,应使用0.015F电容将V 输出旁路至地。另请注意,V 仅用作EL33的输入偏置,V 输出具有有限的电流吸收和源功能。 复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EL33。 100系列包含温度补偿。 650ps传播延迟 4.0GHz切换频率 ESD保护:

  1 KV HBM,

  100 V MM PECL模式工作范围:V = 4.2 V至5.7 V,V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V,V = -4.2 V至-5.7 V 内部输入下拉CLK(s)和R上的电阻 符合或超过JEDEC规范EIA / JESD78 IC闩锁测试 湿度敏感度等级1 有关其他信息,请参阅应用说明AND8003 / D 可燃性等级:UL-94代码V-0 @ 1/8“,氧指数28至34 晶体管数= 95器件 无铅封装可用...

  M是一款集成/ 2分频器,具有差分时钟输入和异步复位。 差分时钟输入采用内部50Ω端接电阻,可接受LVPECL(正ECL),CML或LVDS。高频复位引脚在上升沿有效。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个NB7L32M。 差分16 mA CML输出提供匹配的内部50Ω端接,当外部接收器端接50Ω至VCC时,可保证400 mV输出摆幅(见图16) 。 该器件采用小型3x3 mm 16引脚QFN封装。 特性 最大输入时钟频率14 GHz典型 200 ps最大传播延迟 30 ps典型的上升和下降时间...

  NB6N239S 3.3 V任何差分时钟到LVDS ÷·1/2/4/8和÷·2 / 4/8/16时钟分频器

  9S是一款高速,低偏移时钟分频器,带有两个分频电路,每个分频电路具有可选择的时钟分频比; Div1 / 2/4/8和Div 2/4/8/16。两个分压器电路都驱动LVDS兼容输出。 NB6N239S是ECLinPS MAX TM 系列高性能时钟产品的成员。 特性 最大时钟输入频率,3.0 GHz( 1.5 GHz与Div 1) 输入与LVDS / LVPECL / CML / HSTL兼容 120ps典型的上升/下降时间

  信息 MC10EL / 100EL32是一个由2分频器组成的分区。差分时钟输入和V 允许器件的差分,单端或AC耦合接口。如果使用,应使用0.01 F电容将V 输出旁路至地。另请注意,V 仅用作EL32的输入偏置,V 输出具有有限的电流吸收和源功能。 复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EL32。 100系列包含温度补偿。 510ps传播延迟 3.0GHz切换频率 ESD保护:

  1 KV HBM,

  100 V MM PECL模式工作范围:V = 4.2 V至5.7 V,V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V,V = -4.2 V至-5.7 V 内部输入下拉CLK(s)和R上的电阻 符合或超过JEDEC规范EIA / JESD78 IC闩锁测试 湿度敏感度等级1 有关其他信息,请参阅应用说明AND8003 / D 可燃性等级:UL-94代码V-0 @ 1/8“,氧指数28至34 晶体管数= 82个设备

  SMA5101 MMIC RF混频器 IIP3 = 15 dBm Gc = -0.5 dB @ 450 MHz

  RF双平衡混频器,SMA5101为MMIC,混频器,IIP3 = 15 dBm,Gc = -0.5 dB @ 450 MHz。 特性 宽带:高达Ku波段 高转换增益:-0.5 dB(@ 450 MHz) 低失线 dBm(@ ICC

  11 mA) 低压电压:1.2 V及以上 SMT,超小型封装:2.0 x 2.1 x 0.85 mm 电路图、引脚图和封装图

  100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V BB 引脚,一个内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V BB 作为开关参考电压。 V BB 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V BB 和V CC ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V BB 应保持打开状态。 复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 特性 350ps典型传播延迟 最高频率

  4 GHz典型 PECL模式工作范围:V CC = 3.0 V至5.5 V V EE = 0 V NECL模式工作范围:V CC = 0 V V EE = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态 输入的安全钳位 Q输出将在输入打开或V EE 无铅封装可用 应用 减少替代CMOS和TTL技术的系统时钟偏差。 电路图、引脚图和封装图...

  信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,带有差分CLK输入。 V 引脚,一个内部产生的电源,可用于这个设备只。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率

  4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态

  HMC-MDB171 I/Q混频器/IRM芯片,35 - 45 GHz

  信息优势和特点 宽IF带宽: DC - 5 GHz 高镜像抑制: 25 dB LO至RF高隔离 无源: 无需直流偏置 裸片尺寸: 1.5 x 2.0 x 0.1 mm 产品详情HMC-MDB171是一款单芯片I/Q混频器,可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用,外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化。 HMC-MDB171 I/Q MMIC混频器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 测试和测量设备 卫星通信 传感器 电路图、引脚图和封装图...

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